宁波比亚迪半导体有限公司 main business:半导体分立器件及集成电路生产、设计、测试、技术开发；防伪商标技术及产品开发、生产；工艺品技术及产品开发、生产；工业用玻璃制品的批发（但涉及配额许可证管理、专项规定管理的商品和技术按照国家有关规定办理）；自营和代理货物和技术的进出口（以上商品进出口不涉及国营贸易、进出口配额许可证、出口配额招标、出口许可证等专项管理的商品）。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 有限责任公司(外商投资企业与内资合资)
- 2008年10月23日
- 陈刚
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- 2008年10月23日 至 2058年10月22日
- 宁波市市场监督管理局保税区（出口加工区）分局
- 2017年05月04日
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- 半导体分立器件及集成电路生产、设计、测试、技术开发；防伪商标技术及产品开发、生产；工艺品技术及产品开发、生产；工业用玻璃制品的批发（但涉及配额许可证管理、专项规定管理的商品和技术按照国家有关规定办理）；自营和代理货物和技术的进出口（以上商品进出口不涉及国营贸易、进出口配额许可证、出口配额招标、出口许可证等专项管理的商品）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN205428937U | 非穿通型IGBT | 2016.08.03 | 本实用新型提出了一种非穿通型IGBT，通过设置具有相同导电类型的第一漂移区和第二漂移区，且第一漂移区 |
| 2 | CN206148436U | 功率器件的终端结构及具有其的功率器件 | 2017.05.03 | 本实用新型公开了一种功率器件的终端结构及具有其的功率器件，该功率器件的终端结构包括消耗层、场限环区域 |
| 3 | CN206023411U | 一种电机的接线端子、电机及电动大巴 | 2017.03.15 | 本实用新型第一方面的实施例提出了一种电机的接线端子，电机包括定子的绕组线，接线端子包括套筒和铜端子， |
| 4 | CN205009515U | 用于制造IGBT模块外框的模具 | 2016.02.03 | 本实用新型公开了一种用于制造IGBT模块外框的模具，包括：模具上模，模具上模上设有驱动导向机构；模具 |
| 5 | CN205011839U | 摆动装置及蚀刻机 | 2016.02.03 | 本实用新型公开了一种摆动装置及蚀刻机。该摆动装置包括载物机构、摆动机构和动力机构；摆动机构与载物机构 |
| 6 | CN204289463U | 超级结半导体器件 | 2015.04.22 | 本实用新型公开了一种超级结半导体器件。该超级结半导体器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底之上的埋层， |
| 7 | CN204067369U | 垂直MOS功率器件 | 2014.12.31 | 本实用新型提出一种垂直MOS功率器件，该垂直MOS功率器件可以为平面型或者沟槽型。本实用新型实施例的 |
| 8 | CN204011437U | 双向瞬态电压抑制二极管 | 2014.12.10 | 本实用新型提出了一种双向瞬态电压抑制二极管，本实用新型通过在二极管内设置同时形成的且具有相同导电类型 |
| 9 | CN203871339U | MOSFET功率器件 | 2014.10.08 | 本实用新型公开了一种MOSFET功率器件，包括：衬底；外延层；形成在外延层中的多个条形的MOSFET |
| 10 | CN203871340U | MOSFET功率器件 | 2014.10.08 | 本实用新型公开了一种MOSFET功率器件，包括：衬底；外延层；形成在外延层中的多个条形的MOSFET |
| 11 | CN203617265U | 一种功率半导体模块 | 2014.05.28 | 本实用新型提供了一种功率半导体模块，包括底座；DBC基板，所述DBC基板固定设置在所述底座的上方，所 |
| 12 | CN203573979U | 一种IGBT模块 | 2014.04.30 | 本实用新型提供了一种IGBT模块，包括DBC基板；芯片，所述芯片包括至少一个，所述芯片固定设置在所述 |
| 13 | CN203415563U | 一种IGBT模块 | 2014.01.29 | 本实用新型提供了一种IGBT模块，IGBT模块包括壳体、固定于壳体内的底座、及安装于底座的顶面处的电 |
| 14 | CN203288598U | 一种具有终端耐压结构的沟槽MOSFET | 2013.11.13 | 本实用新型提出了一种具有终端耐压结构的沟槽MOSFET，该沟槽MOSFET在元胞区内和终端区内分别形 |
| 15 | CN203261012U | 一种电池连接断线的保护装置及保护系统 | 2013.10.30 | 本实用新型提出一种电池连接断线的保护装置及保护系统，其装置包括以下：恒流源模块，恒流源模块包括多个第 |
| 16 | CN203260589U | 一种肖特基二极管 | 2013.10.30 | 本实用新型提出一种肖特基二极管，该肖特基二极管包括：阴极金属层；形成在阴极金属层之上的重掺第一类型掺 |
| 17 | CN203118957U | 一种快恢复二极管 | 2013.08.07 | 本实用新型提供一种快恢复二极管，该快恢复二极管包括：阴极金属层；位于所述阴极金属层上的阴极区，所述阴 |
| 18 | CN203013734U | 一种超级结MOSFET | 2013.06.19 | 本实用新型提出了一种超级结MOSFET结构，其包括形成在衬底上的元胞区和包围所述元胞区的终端区，所述 |
| 19 | CN203013707U | 一种半导体管芯封装 | 2013.06.19 | 本实用新型提供一种半导体管芯封装结构，包括：衬底、半导体管芯、多个引脚以及模塑材料，所述半导体管芯位 |
| 20 | CN202948934U | 一种沟槽MOSFET | 2013.05.22 | 本实用新型提出了一种沟槽MOSFET，该沟槽MOSFET包括衬底及其上形成的外延层，形成在该外延层内 |
| 21 | CN202948931U | 一种改善扩散区域形貌的功率器件 | 2013.05.22 | 本实用新型提出了一种改善扩散区域形貌的功率器件，该功率器件包括衬底、外延层、埋层、源区，源区与外延层 |
| 22 | CN202905724U | 一种快恢复二极管 | 2013.04.24 | 本实用新型提供一种快恢复二极管，该快恢复二极管包括：阴极金属层；形成在阴极金属层上的阴极区，阴极区为 |
| 23 | CN202839616U | 一种实现局域寿命控制的IGBT | 2013.03.27 | 本实用新型提出了一种实现局域寿命控制的IGBT，该IGBT包括集电区，在集电区之上形成有缓冲层，在缓 |
| 24 | CN202796961U | 一种具有内置二极管的IGBT结构 | 2013.03.13 | 本实用新型提供一种具有内置二极管的IGBT结构，通过在半导体衬底的正面形成条形元胞区，在半导体衬底的 |
| 25 | CN202796960U | 一种具有内置二极管的IGBT结构 | 2013.03.13 | 本实用新型提供一种具有内置二极管的IGBT结构，通过在半导体衬底的正面形成条形元胞区，在半导体衬底的 |
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